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Este es el chip que podría hacer al Galaxy S10 el primer móvil con 1 TB de memoria interna

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Este es el chip que podría hacer al Galaxy S10 el primer móvil con 1 TB de memoria interna

Este es el chip que podría hacer al Galaxy S10 el primer móvil con 1 TB de memoria interna

Samsung ha presentado hoy sus nuevas memorias de hasta 1 TB de capacidad para dispositivos móviles, con certificación UFS 2.1  Ultra Fast Storage, almacenamiento ultra rápido.

Estos chips serán los que conviertan a la versión más cargada de los próximos Galaxy S10 en el primer teléfono con una capacidad digna de una computadora convencional.

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El Galaxy Note 9 ya era capaz de sumar hasta 1 TB de memoria, con una diferencia: este sumaba sus 512 GB de almacenamiento interno con el soporte a tarjetas microSD de la misma capacidad.

Con este nuevo chip, toda la memoria queda en el propio teléfono, lo cual es más rápido y también más seguro.

Este pequeño chip, del mismo tamaño que la generación anterior y de poco más de un centímetro cuadrado, combina V-NAND de 16 capas con un controlador propio. Según Samsung, con este chip podríamos almacenar hasta 260 vídeos de diez minutos en resolución 4K. En comparación, con 64 GB de memoria cabrían 13.

Desde Samsung prometen una mejora sensible de la velocidad, especialmente en escritura sostenida, donde alcanza los 1.000 MB/s. También en el apartado de acceso aleatorio, donde comparando con la anterior generación UFS 2.1 los accesos de lectura por segundo suben hasta un 38%, mientras que en escritura suben un 25%.

Tras cuatro años en el estándar UFS, se espera que sea durante esta primera mitad de 2019 cuando Samsung presente las primeras memorias UFS 3.0, que permitirán acercarnos a velocidades de hasta 3 GB/s.

Samsung ya ha puesto fecha a la presentación de la próxima generación de Galaxy S: el próximo 20 de febrero. Será, además, en un evento independiente y anticipado al Mobile World Congress de Barcelona.

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